Micro LED被視為取代TFT-LCD及OLED display的次世代顯示器技術。建立在LED高效能的基礎上，理想的Micro LED顯示器具有高像素、高對比、自發(fā)光、低能耗及壽命長等各種優(yōu)勢，備受看好。
然而，當前的Micro LED仍面臨許多困難需要克服，其中最困擾研究人員與制造商的便是巨量轉移制程(Mass transfer process)，如何將紅、藍、綠三種顏色的LED芯片快速且精確地接合至面板的驅動電路上，以及克服芯片材料特性不同的挑戰(zhàn)，特別是紅光Micro-LED還有易碎等問題，因此巨量轉移技術至今仍沒有能達到量產(chǎn)的解決方案被提出。
臺灣交通大學的郭浩中教授等人，與美國新創(chuàng)公司Saphlux、耶魯大學、廈門大學的研究人員合作，采用半極化(Semipolar)的Micro LED結合量子點熒光粉光阻(Quantum dot photoresist)的技術，制作出高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列，相關研究成果已被Photonics Research期刊接受，并即將發(fā)表。
研究團隊主持人郭浩中表示，為了減少巨量轉移的次數(shù)，該團隊長期專注在量子點熒光粉色轉換技術的應用，只需要一種顏色的LED芯片（藍光或近紫外光）搭配不同顏色的量子點熒光粉，即可實現(xiàn)全彩的功能，且量子點熒光粉的演色性相當突出。
郭浩中也提到，除了巨量轉移制程的挑戰(zhàn)，LED芯片本身也面臨不少問題。譬如藍綠光LED芯片會隨著操作電流改變，產(chǎn)生發(fā)光顏色變化的現(xiàn)象，意味著顯示器為了配合環(huán)境光源改變亮度時，就有可能產(chǎn)生顏色變化，不利于顯示器的使用，因此必須解決LED芯片色偏移的問題。
該團隊采用半極化磊晶技術制作LED芯片，藉由半極化材料的特性，大幅減少LED光源本身的發(fā)光波長偏移(Wavelength-shift)現(xiàn)象，進而克服色偏移的問題；在這個研究中的第二個突破就是采用量子點熒光粉光阻技術，該技術透過特殊的方法，將量子點熒光粉與光阻液混合，搭配傳統(tǒng)的微影制程，達到大面積制作彩色像素需求，取代分別轉移紅、藍、綠的LED芯片的方法，大幅降低轉移制程的困難度。
最后，結合上述兩種技術，研究團隊成功實現(xiàn)了高色穩(wěn)定的全彩Micro LED陣列，同時具有大面積制造的可能性，為Micro LED顯示器技術的發(fā)展注入一股新血。
